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        其以氣體作為主要的蝕刻媒介,并藉由等離子體能量來驅(qū)動反應.在半導體的制程中,蝕刻被用來將某種材質(zhì)自晶圓表面上移除.

        在半導體工藝中,刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅表面去除不需要的材料,在硅片上復制所需圖形的工藝步驟.反應離子蝕刻的各向異性可以實現(xiàn)細微圖形的轉(zhuǎn)換,隨著大規(guī)模集成電路工藝技術的發(fā)展,為滿足越來越小的尺寸要求,反應離子刻蝕已成為亞微米及以下尺寸最主要的蝕刻方式.通過對刻蝕工藝的研究,選擇恰當工藝參數(shù) ( 如射頻功率、氣壓、氣體流量等等 ),可獲得最佳工藝條件,并在保證刻蝕效果的同時提高刻蝕速率,是刻蝕工藝所追求的目標.

        華之尊公司也有這一款干式蝕刻機HZZ-H500,它的每一組系統(tǒng)里面都包含了原裝進口雷射源(Fiber or UV) ,驅(qū)動程式 ,光學系統(tǒng)組 ,X-Y軸直交型線性馬達運動系統(tǒng) ,Z軸焦距微調(diào)平臺 ,平臺5相微步進馬達 ,CCD智能型自動定位系統(tǒng).優(yōu)越的性能,高水平的質(zhì)量,成為了越來越多客戶共同的選擇.

        過去,在集成電路(IC)引線框的生產(chǎn)中廣為采用的是沖制成形工藝技術.為了適應適應微組裝高集成對引線框架提出的高精度,多腳數(shù)的需求,目前都采用了蝕刻法制作IC引線框架.

        干式蝕刻機在生產(chǎn)上的應用越來越廣,華之尊會一直努力奮進,刻苦專研,打造出領先全國的干式蝕刻機.